产品列表
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硅片衬底
硅片衬底是半导体器件制造中最常用的衬底材料之一，可用于制造各种硅基材料的半导体器件，如场效应管、双极型晶体管、可控硅等。
硅片衬底在半导体器件制造中起着至关重要的作用，其优点包括显著的半导体性能、高纯度和高度均一性。
提供 2-12 英寸全系列产品。
碳化硅衬底
碳化硅衬底是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，具备禁带宽度大，热导率高，临界击穿场高，电子饱和漂移速率高等特点。
碳化硅衬底根据其电化学性质差异，分为导电型衬底和半绝缘衬底。
导电型衬底主要用于制造功率器件，如肖特基二极管，MOSFET，IGBT等，产品广泛应用于 5G基站、特高压、轨道交通、新能源充电桩、大数据中心等
半绝缘衬底则主要用于制造射频器件等分立器件，碳化硅是一种先进半导体材料。
提供 2-8 英寸系列产品。
硅片衬底
硅片衬底是半导体器件制造中最常用的衬底材料之一，可用于制造各种硅基材料的半导体器件，如场效应管、双极型晶体管、可控硅等。
硅片衬底在半导体器件制造中起着至关重要的作用，其优点包括显著的半导体性能、高纯度和高度均一性。
提供 2-12 英寸全系列产品。
硅片衬底
硅片衬底是半导体器件制造中最常用的衬底材料之一，可用于制造各种硅基材料的半导体器件，如场效应管、双极型晶体管、可控硅等。
硅片衬底在半导体器件制造中起着至关重要的作用，其优点包括显著的半导体性能、高纯度和高度均一性。
提供 2-12 英寸全系列产品。
MOS管
MOS管全程金属氧化物半导体场效应晶体管，主要用途包括开关作用、放大作用、电源管理、稳压器、电源逆变器、通信领域的功放和开关、信息处理领域的数字电路和模拟电路应用、以及在5G基站电源上的应用。
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MOS管
MOS管全程金属氧化物半导体场效应晶体管，主要用途包括开关作用、放大作用、电源管理、稳压器、电源逆变器、通信领域的功放和开关、信息处理领域的数字电路和模拟电路应用、以及在5G基站电源上的应用。
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MOS管
MOS管全程金属氧化物半导体场效应晶体管，主要用途包括开关作用、放大作用、电源管理、稳压器、电源逆变器、通信领域的功放和开关、信息处理领域的数字电路和模拟电路应用、以及在5G基站电源上的应用。
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MOS管
MOS管全程金属氧化物半导体场效应晶体管，主要用途包括开关作用、放大作用、电源管理、稳压器、电源逆变器、通信领域的功放和开关、信息处理领域的数字电路和模拟电路应用、以及在5G基站电源上的应用。
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IGBT模块
IGBT模块，电力电子领域中的关键部件，能够将直流电源转换为频率可调整的交流电源，减少开关损耗，快速切换能力以及高工作频率，应用于直流电机，电动车，变频器，太阳能逆变等用途。
提供 800V，1200V各种规格产品。
IGBT模块
IGBT模块，电力电子领域中的关键部件，能够将直流电源转换为频率可调整的交流电源，减少开关损耗，快速切换能力以及高工作频率，应用于直流电机，电动车，变频器，太阳能逆变等用途。
提供 800V，1200V各种规格产品。
IGBT模块
IGBT模块，电力电子领域中的关键部件，能够将直流电源转换为频率可调整的交流电源，减少开关损耗，快速切换能力以及高工作频率，应用于直流电机，电动车，变频器，太阳能逆变等用途。
提供 800V，1200V各种规格产品。
IGBT模块
IGBT模块，电力电子领域中的关键部件，能够将直流电源转换为频率可调整的交流电源，减少开关损耗，快速切换能力以及高工作频率，应用于直流电机，电动车，变频器，太阳能逆变等用途。
提供 800V，1200V各种规格产品。